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> IRF7702TRPBF MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
型号:
IRF7702TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7702TRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet 8-TSSOP
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫欧 @ 8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
81nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3470pF @ 10V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF7702TRPBFCT
查看IRF7702TRPBF代理商
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